（ALD）原子層沉積設(shè)備制造理想之選-西特Model730真空計(jì)。ALD--Atomic Layer Deposition 原子層沉積,是在基底材料表面制備原子級(jí)別的沉積層. 而ALD關(guān)鍵技術(shù)需要**控制工藝的環(huán)境參數(shù)，其反應(yīng)器壓力需要嚴(yán)格保持在合適的真空條件下，此時(shí)通過對(duì)反應(yīng)物的時(shí)序脈沖噴射，才能達(dá)到準(zhǔn)確沉積的效果。借助于Setra（西特）在電容式壓力測(cè)量領(lǐng)域逾50年的經(jīng)驗(yàn)積累， 730型真空電容式壓力計(jì)無(wú)論從產(chǎn)品設(shè)計(jì)、制造工藝、品質(zhì)管理，還是從成本控制等諸多方面，都是ALD設(shè)備制造商的理想之選。

    Setra（西特）730型真空電容式壓力計(jì)是一款高精度的電容式壓力計(jì)（亦稱電容式膜片真空計(jì) (CDG)），（ALD）原子層沉積設(shè)備制造理想之選-西特Model730真空計(jì)-適合在光伏、半導(dǎo)體和工業(yè)市場(chǎng)中測(cè)量對(duì)過程控制至關(guān)重要的低真空范圍。該產(chǎn)品讀數(shù)精度達(dá)±0.5%，分辨率高，優(yōu)于同類產(chǎn)品。730 型使用全I(xiàn)nconelTM 接液材料，可承受半導(dǎo)體加工過程中的腐蝕性介質(zhì)。由于采用直接測(cè)量設(shè)計(jì)，它能**測(cè)量介質(zhì)，不受應(yīng)用中氣體混合物成分的影響。

   （ALD）原子層沉積設(shè)備制造理想之選-（ALD）原子層沉積設(shè)備制造理想之選-西特Model730真空計(jì)特點(diǎn)：適合苛刻應(yīng)用的高性能產(chǎn)品采用單膜片可變電容感應(yīng)元件，適用于苛刻的半導(dǎo)體和工業(yè)真空應(yīng)用。它具有讀數(shù)精度和分辨率高、動(dòng)態(tài)范圍寬的特點(diǎn)，使之成為關(guān)鍵制造過程中的理想選擇。Inconel® 設(shè)計(jì)保證通用性 確保730型在這類應(yīng)用中的長(zhǎng)使用壽命。直接壓力測(cè)量?jī)?nèi)置膜片可在使用點(diǎn)直接測(cè)量壓力變化。與其他工業(yè)電容式壓力計(jì)不同，（ALD）原子層沉積設(shè)備制造理想之選-西特Model730真空計(jì)， 不受被測(cè)混合氣的影響，這使其精度優(yōu)于間接測(cè)量型壓力計(jì)。

  ALD科普（（ALD）原子層沉積設(shè)備制造理想之選-西特Model730真空計(jì)）：ALD—Atomic Layer Deposition原子層沉積，是在基底材料表面制備原子級(jí)別的沉積層，這種沉積技術(shù)可廣泛服務(wù)于各類半導(dǎo)體、光學(xué)、光電和電池材料的研究，且已經(jīng)在相當(dāng)多的IC器件、MEMS、傳感器等生產(chǎn)工藝中發(fā)揮了巨大的效用。相較于CVD(化學(xué)氣相沉積)技術(shù)，ALD提供了更為**的沉積層—自飽和的表面產(chǎn)物，厚度可控制在只有一層原子。如果說CVD是在地面攤了一層水泥砂漿，ALD則是把水泥、砂分別均勻上乘的涂敷在了材料上，沒有任何瑕疵。這種更為精準(zhǔn)的層沉積技術(shù)為材料帶來(lái)的性能提升是不言而喻的。比如借助這種技術(shù)處理過的光電材料可使*終的光電轉(zhuǎn)換效率提升超過10%。用于FPD等光學(xué)顯像玻璃時(shí)，可使成品亮度、對(duì)比度等關(guān)鍵性能大幅度提升。

  （ALD）原子層沉積設(shè)備制造理想之選-西特Model730真空計(jì)屬于西特壓力傳感器（Setra真空計(jì)）。